For nylig har kinesiske laserproducenter med succes implementeret en 12- tommer siliciumcarbidsubstratlaserstrippende automatiseringsopløsning, hvilket i høj grad reducerede tab, øget behandlingshastighed og fremmet omkostningsreduktion og forbedring af effektiviteten i siliciumcarbidindustrien.
Tidligere har kinesiske laserproducenter taget føringen i lanceringen af "8- inch ledende siliciumcarbidunderlagslaserstrippingsudstyr" og vandt anerkendelsen af "det første indenlandske udstyr" i januar i år.
Sammenlignet med traditionelle siliciummaterialer har siliciumcarbid et bredere båndgap, højere smeltepunkt, højere elektronmobilitet og højere termisk ledningsevne. Det kan fungere stabilt under høje temperatur og højspændingsbetingelser. Det er blevet et nøglemateriale til opgradering af nye energi- og halvlederindustrier og har fremmet teknologiske revolutioner inden for elektriske køretøjer, fotovoltaisk kraftproduktion, smarte gitter, trådløs kommunikation og andre felter.
Imidlertid forbliver andelen af substratmaterialeomkostninger i de samlede omkostninger høje, hvilket alvorligt hindrer den store industrialisering og fremme af siliciumcarbidenheder. En af de vigtige måder at reducere omkostningerne og øge effektiviteten er at fremstille større siliciumcarbidunderlagsmaterialer. Sammenlignet med 6- tommer og 8- tommer underlag, kan 12- tommer substratmaterialer yderligere udvide det tilgængelige område til chipfremstilling på en enkelt skive, øger outputens output betydeligt og reducerer enhedsomkostningerne under de samme produktionsbetingelser.
I december 2024 har indenlandske siliciumcarbid -førende virksomheder afsløret den nyeste generation af 12- tommer siliciumcarbidunderlag. Mens de førte den internationale udviklingstrend, fremsatte de også efterspørgslen efter opskæring af ultra-store størrelse siliciumcarbidunderlag over 12 tommer.
Tilsvarende har kinesiske laserproducenter lanceret den "ultra-store størrelse siliciumcarbidunderlags laserstrippeteknologi" ved den hurtigste hastighed og tager føringen med at løse "skiver" -problemet med 12- tommer og større siliciumcarbidunderlag.
Denne teknologi kan opnå præcis placering, ensartet behandling og kontinuerlig stripping af siliciumcarbidingotter. Dens fremragende fordele er:
- Automatisering- Automatiseringen af INGOT -tynding, laserbehandling, underlagsstripping og andre processer er blevet realiseret. Hver proces kan betjenes parallelt, og produktionslinjen kan implementeres fleksibelt.
- Lavt tab- Intet materielt tab under laserstrippeprocessen. Kun omkring 80-100 μm materiale skal fjernes fra de øvre og nedre overflader i den efterfølgende udtyndingsproces. Sammenlignet med traditionel skæreteknologi reduceres tabet af råmaterialer meget.
- Høj effektivitet-Substratproduktionstiden forkortes kraftigt, hvilket fremskynder forsknings- og udviklings-iterationen af ultra-store siliciumcarbidtesubstratteknologi. Det kan også bruges til storskala masseproduktion af ultra-store siliciumcarbidsubstrater i fremtiden og fremmer omkostningsreduktion og forbedring af effektiviteten i industrien.
Som en typisk teknologikrævende industri er halvledermaterialindustrien blevet plaget af manglen på avanceret teknologi og talenter, og årene med udenlandsk teknologiblokade har hindret den hurtige udvikling af industrien. Grundlæggeren af Kina -laserproducenten kom fra Nanophotonics and Instrument Technology Laboratory ved West Lake University. Holdet har været dybt engageret inden for mikro-nano-optoelektronik i mange år, herunder mikro-nano-behandlingsteknologi og instrumentudstyr, mikro-nano-fotonteori og optoelektroniske enheder, nøgleteorier og teknologier til intelligente applikationer osv., ETC.
I henhold til Yoles prognose, inden 2027, vil den globale markedsstørrelse af siliciumcarbidkraftindretninger nå 6,7 milliarder dollars med en sammensat årlig vækstrate på 33,5%og blive et kernemateriale inden for nye energi og halvleder. De varme AR -briller bruger også "siliciumcarbid" som objektivmateriale til at afslutte ydelsesovergangen. Det forventes, at den globale AR -briller markedsstørrelse vil overstige 300 milliarder dollars i 2030 og blive et andet "nyt blåt hav" til anvendelse af siliciumcarbidmaterialer. Det antages, at med den kontinuerlige fremme af fremstillingsprocesser og den kontinuerlige udvidelse af påføringsfelter, vil siliciumcarbidenheder til sidst skinne i halvleder og optiske felter.
MRJ-Laser er et professionelt instrument- og udstyrsfirma, der integrerer F&U, produktion og salg. Det er placeret til at løse smerterne i den avancerede fremstillingsindustri, anvende kerneteknologien i mikro-nano-optoelektronisk information og give præcisionsbehandlingskarakteriseringsinstrumenter og udstyr. Med missionen om at hjælpe hvert teknologisk gennembrud fortsætter det med at fremme udviklingen af innovative teknologier i optoelektronikindustrien.
MRJ-Laser har anvendt ultrahast laserbehandlingsteknologi til siliciumcarbidunderlagsbehandlingsindustrien, afsluttet udviklingen af siliciumcarbidsubstratlaserstripningsudstyr og integrerede systemer og opnåede anvendelsen af siliciumcarbidunderlag førende virksomheder. Produktet er certificeret som det første udstyr i Kina. Den relevante teknologi har også lovende anvendelsespotentiale til behandling af nye substratmaterialer såsom galliumnitrid og diamant.
